8.28.2011

Indústria de Informática cria memória 100 vezes mais rápida que o Flash

A IBM  e a MemoryHard Labs uma empresa de implementação de solução de hardware cria memória 100 vezes mais rápida que o Flash


A tecnologia deve estar presente em servidores da empresa em 2016; não há previsão para PCs e smartphones.

A tecnologia Phase-Change Memory, uma das novas formas de chips mais rápidos, menores e mais densos destinados a substituir a tecnologia flash, já está em pauta há algum tempo. Agora a IBM avançou ainda mais, tornando a transferência de dados PCM “instantânea” e cem vezes mais rápida que a memória flash.

Os cientistas da empresa em Zurique, Suíça, inventaram a tecnologia enquanto resolviam dois grandes problemas de arquitetura de informação. Os chips PCMs funcionam aplicando cargas elétricas em uma liga especial que pode mudar de formato físico, entre as fases de baixa resistência cristalina e alta resistência amorfa.

Quando a resistência do chip aumenta, é possível armazenar múltiplos bits de dados, ao invés do único bit que o flash consegue. Combinando isso com uma latência de escrita de 10 microssegundos, o PCM tem um desempenho 100 vezes melhor que a tecnologia anterior.

Entretanto, mudar partes do chip para a fase amorfa cria problemas de aumento de continuidade de resistência, chamado drift de resistência, que leva a erros de leitura. Para combater o problema, a IBM desenvolveu uma técnica avançada código de modulação – um software que pode identificar e corrigir os erros.

A nova memória provavelmente não estará presente em computadores e smartphones por algum tempo, mas a nova geração tecnológica de rápido armazenamento de dados pode estar pronta para servidores em 2016.

Site: IDG Now!

Autor: Kevin Lee
Link: http://idgnow.uol.com.br/mercado/2011/06/30/idgnoticia.ibm-flash/

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